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据4月23日消息，三星半导体今日宣布，其第九代V-NAND 1Tb TLC产品已开始量产，该产品与三星上一代产品相比，位密度提升约50%，并通过通道孔刻蚀技术提高生产效率。
凭借三星最小的单元尺寸和最薄的堆栈厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。单元扰动避免和单元寿命延长等新技术特性的应用提高了产品质量和可靠性，而虚拟通道孔的消除则显著减少了存储单元的平面面积。
此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，并可同时在双层结构中钻孔，以实现三星最高的单元层数，从而最大限度地提高制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这需要更复杂的蚀刻技术。
第九代V-NAND搭载了新一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提升33%，达到最高3.2千兆位/秒（Gbps）。除了这一新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持，巩固其在高性能SSD市场的地位。
基于三星在低功耗设计方面的进步，第九代 V-NAND 还比上一代降低了 10% 的功耗。
三星本月已开始量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，并将于今年下半年开始量产第四代四级单元 (QLC) V-NAND。
据韩媒Hankyung报道，三星第9代V-NAND闪存堆叠层数为290层。不过，我们此前的报道提到，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存。
半导体行业观察机构TechInsights表示，三星第10代V-NAND闪存预计将达到430层，进一步增强其堆叠优势。
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