4月28日消息，三星半导体日前宣布量产第九代V-NAND1TbTLC产品，位密度（bitdensity）比上一代产品提高约50%
4月28日，三星半导体宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，位密度较上一代提升约50%，并通过通道孔刻蚀技术提高生产效率。
第九代V-NAND采用双堆栈技术，在旗舰级V8闪存236层的基础上将层数提升至290层，主要面向大型企业服务器以及人工智能、云端设备。
业内消息人士称，三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，达到430层，进一步提高NAND的密度，巩固和扩大领先优势。
市场研究公司 Omdia 预测，NAND 闪存市场在 2023 年下滑 37.7% 之后，今年预计将增长 38.1%。为了在快速增长的市场中站稳脚跟，三星已承诺将大力投资其 NAND 业务。
IT之家此前报道称，三星高管表示，公司目标是到 2030 年开发出超过 1000 层的 NAND 芯片，以实现更高的密度和存储容量。
