2013 年出现的第一代 V-NAND 是 24 层。此后又推出了第二代 32 层、第三代 48 层、第四代64 层、第五代 92 层、第六代 128 层、第七代 176 层。
1月9日，据韩媒The Elec报道，三星将加速3D NAND堆叠进程，正讨论将预计2025-2026年量产的第十代V-NAND的堆叠层数跃升至430层。
三星此前宣布将在2030年研发出1000层V-NAND闪存，下一代V-NAND路线图的轮廓也逐渐显露出来。
据报道，三星计划于 2024 年量产的第九代 V-NAND 将属于 280 层 3D NAND 范围。对于计划于 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND，三星正在讨论跳过 300 层，直接采用 430 层。
分析称，具体工作正按照2030年开发出1000层V-NAND的目标逐步推进，也有观察称，三星董事长李在镕强调的“超级差距战略”正在加速实施。
此外，业内人士透露，三星已经制定了第九代和第十代V-NAND单元数量的粗略路线图，并正在从多角度开发产品。
IT之家了解到，V-NAND 是三星于 2013 年首次推出的一种闪存技术，通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接各层。
2013年出现的第一代V-NAND为24层，此后陆续推出了32层的第二代、48层的第三代、64层的第四代、92层的第五代、128层的第六代、176层的第七代，每一代的量产都经历了约1年到1年6个月的时间。
三星于2022年11月宣布量产第八代V-NAND，堆叠层数为236层。据报道，第八代V-NAND可提供1Tb（128GB）的解决方案。三星电子并未透露该IC的尺寸和实际密度，但他们称这是业内最高的位密度。
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